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NSFJ900

产品描述Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 4.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-213AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小22KB,共1页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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NSFJ900概述

Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 4.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-213AA

NSFJ900规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid1689292343
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
YTEOL0
配置SINGLE
最小漏源击穿电压900 V
最大漏极电流 (ID)3 A
最大漏源导通电阻4.2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-213AA
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)70 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)10 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON

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