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2SA1834TL/S

产品描述10000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小65KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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2SA1834TL/S概述

10000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

2SA1834TL/S规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompli
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压20 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)270
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值10 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN COPPER
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz
VCEsat-Max0.25 V
Base Number Matches1

2SA1834TL/S相似产品对比

2SA1834TL/S 2SA1834TL/R
描述 10000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 10000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
Reach Compliance Code compli compli
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 10 A 10 A
集电极-发射极最大电压 20 V 20 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 270 180
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e2 e2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 PNP PNP
功耗环境最大值 10 W 10 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 TIN COPPER TIN COPPER
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 150 MHz 150 MHz
VCEsat-Max 0.25 V 0.25 V
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