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SI3456DV-T2

产品描述Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小115KB,共4页
制造商TEMIC
官网地址http://www.temic.de/
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SI3456DV-T2概述

Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

SI3456DV-T2规格参数

参数名称属性值
厂商名称TEMIC
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)5.1 A
最大漏源导通电阻0.045 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G
元件数量1
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)20 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON

SI3456DV-T2相似产品对比

SI3456DV-T2 SI3456DV-T1 SI3456DV-T3
描述 Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
厂商名称 TEMIC TEMIC TEMIC
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V 30 V
最大漏极电流 (ID) 5.1 A 5.1 A 5.1 A
最大漏源导通电阻 0.045 Ω 0.045 Ω 0.045 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G R-PDSO-G R-PDSO-G
元件数量 1 1 1
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 20 A 20 A 20 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON

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