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NTD110N02R-001G

产品描述12.5A, 24V, 0.0062ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369D-01, DPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小798KB,共8页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
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NTD110N02R-001G在线购买

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NTD110N02R-001G概述

12.5A, 24V, 0.0062ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369D-01, DPAK-3

NTD110N02R-001G规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Rochester Electronics
包装说明LEAD FREE, CASE 369D-01, DPAK-3
针数3
制造商包装代码CASE 369D-01
Reach Compliance Codeunknown
雪崩能效等级(Eas)120 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压24 V
最大漏极电流 (ID)12.5 A
最大漏源导通电阻0.0062 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级NOT SPECIFIED
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)110 A
认证状态COMMERCIAL
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

NTD110N02R-001G相似产品对比

NTD110N02R-001G NTD110N02RT4G NTD110N02RG
描述 12.5A, 24V, 0.0062ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369D-01, DPAK-3 12.5A, 24V, 0.0062ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369AA-01, DPAK-3 12.5A, 24V, 0.0062ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369AA-01, DPAK-3
是否无铅 含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics
包装说明 LEAD FREE, CASE 369D-01, DPAK-3 LEAD FREE, CASE 369AA-01, DPAK-3 LEAD FREE, CASE 369AA-01, DPAK-3
针数 3 3 3
制造商包装代码 CASE 369D-01 CASE 369AA-01 CASE 369AA-01
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
雪崩能效等级(Eas) 120 mJ 120 mJ 120 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 24 V 24 V 24 V
最大漏极电流 (ID) 12.5 A 12.5 A 12.5 A
最大漏源导通电阻 0.0062 Ω 0.0062 Ω 0.0062 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
湿度敏感等级 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 1
元件数量 1 1 1
端子数量 3 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 110 A 110 A 110 A
认证状态 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
表面贴装 NO YES YES
端子面层 MATTE TIN NOT SPECIFIED MATTE TIN
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
JESD-609代码 e3 - e3
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