Trans Voltage Suppressor Diode, 200W, 5.9V V(RWM), Bidirectional, 6 Element, Silicon, ROHS AND REACH COMPLIANT, FLIP CHIP-6
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ProTek Devices |
零件包装代码 | FLIP-CHIP |
包装说明 | R-XBGA-B6 |
针数 | 6 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | LOW LEAKAGE CURRENT |
最小击穿电压 | 6 V |
配置 | COMMON CATHODE, 6 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码 | R-XBGA-B6 |
JESD-609代码 | e1 |
最大非重复峰值反向功率耗散 | 200 W |
元件数量 | 6 |
端子数量 | 6 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY |
峰值回流温度(摄氏度) | 270 |
极性 | BIDIRECTIONAL |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 5.9 V |
表面贴装 | YES |
技术 | AVALANCHE |
端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn96.0Ag3.5Cu0.5) |
端子形式 | BALL |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
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