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2SB1270S

产品描述TRANSISTOR,BJT,PNP,80V V(BR)CEO,5A I(C),TO-221VAR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小43KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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2SB1270S概述

TRANSISTOR,BJT,PNP,80V V(BR)CEO,5A I(C),TO-221VAR

2SB1270S规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codecompli
最大集电极电流 (IC)5 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)140
最高工作温度140 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)30 W
表面贴装NO
标称过渡频率 (fT)20 MHz
Base Number Matches1

2SB1270S相似产品对比

2SB1270S 2SB1270R 2SB1270Q
描述 TRANSISTOR,BJT,PNP,80V V(BR)CEO,5A I(C),TO-221VAR TRANSISTOR,BJT,PNP,80V V(BR)CEO,5A I(C),TO-221VAR TRANSISTOR,BJT,PNP,80V V(BR)CEO,5A I(C),TO-221VAR
Reach Compliance Code compli compli compli
最大集电极电流 (IC) 5 A 5 A 5 A
配置 Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 140 100 70
最高工作温度 140 °C 140 °C 140 °C
极性/信道类型 PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 30 W 30 W 30 W
表面贴装 NO NO NO
标称过渡频率 (fT) 20 MHz 20 MHz 20 MHz
Base Number Matches 1 1 1
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