EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
包装说明 | TSOP, TSOP44/50,.46,32 |
Reach Compliance Code | compliant |
最长访问时间 | 60 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G44 |
内存密度 | 16777216 bit |
内存集成电路类型 | EDO DRAM |
内存宽度 | 16 |
端子数量 | 44 |
字数 | 1048576 words |
字数代码 | 1000000 |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 1MX16 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSOP |
封装等效代码 | TSOP44/50,.46,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
电源 | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 4096 |
自我刷新 | NO |
最大待机电流 | 0.0005 A |
最大压摆率 | 0.09 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | DUAL |
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