2SA1201YTE12R,2SA1201YTE12R pdf中文资料,2SA1201YTE12R引脚图,2SA1201YTE12R电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SA1201YTE12R

2SA1201YTE12R: 产品描述TRANSISTOR 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小148KB，共4页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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2SA1201YTE12R概述

TRANSISTOR 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

2SA1201YTE12R规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	0.8 A
基于收集器的最大容量	30 pF
集电极-发射极最大电压	120 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	120
JESD-30 代码	R-PSSO-F3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	240
极性/信道类型	PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	FLAT
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	120 MHz
VCEsat-Max	1 V
Base Number Matches	1

2SA1201YTE12R相似产品对比

	2SA1201YTE12R	2SA1201-O	2SA1201OTE12L	2SA1201OTE12R	2SA1201-Y	2SA1201-Y(TE12L,C)	2SA1201-Y(TE12L,CF)	2SA1201YTE12L	2SA1201TE12R	2SA1201TE12L
描述	TRANSISTOR 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-5K1A, PW-MINI, SC-62, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-5K1A, PW-MINI, SC-62, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal	Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R	Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R	TRANSISTOR 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	-	PW-MINI, 2-5K1A, SC-62, 3 PIN	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	-	-	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	-	-	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	0.8 A	0.8 A	0.8 A	0.8 A	0.8 A	-	-	0.8 A	0.8 A	0.8 A
基于收集器的最大容量	30 pF	30 pF	30 pF	30 pF	30 pF	-	-	30 pF	30 pF	30 pF
集电极-发射极最大电压	120 V	120 V	120 V	120 V	120 V	-	-	120 V	120 V	120 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	120	80	80	80	120	-	-	120	80	80
JESD-30 代码	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3	-	-	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3
元件数量	1	1	1	1	1	-	-	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	-	-	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	-	-	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	-	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	-	-	PNP	PNP	PNP
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	-	-	YES	YES	YES
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	-	-	FLAT	FLAT	FLAT
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	-	-	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	-	-	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	120 MHz	120 MHz	120 MHz	120 MHz	120 MHz	-	-	120 MHz	120 MHz	120 MHz
VCEsat-Max	1 V	1 V	1 V	1 V	1 V	-	-	1 V	1 V	1 V

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