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2SB508D

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小588KB,共7页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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2SB508D概述

Transistor

2SB508D规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid101476904
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)3 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)60
JESD-609代码e0
最高工作温度140 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)30 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)8 MHz

2SB508D相似产品对比

2SB508D 2SB508C 2SB508E 2SB508F
描述 Transistor Transistor Transistor Transistor
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
Objectid 101476904 101476903 101476905 101476906
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 3 A 3 A 3 A 3 A
配置 Single Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 60 40 160 160
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
最高工作温度 140 °C 140 °C 140 °C 140 °C
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 30 W 30 W 30 W 30 W
表面贴装 NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT) 8 MHz 8 MHz 8 MHz 8 MHz
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