Silicon Controlled Rectifier, 2800000mA I(T), 1800V V(DRM)
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Vishay(威世) |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 标称电路换相断开时间 | 500 µs |
| 最大直流栅极触发电流 | 400 mA |
| 最大直流栅极触发电压 | 4 V |
| 最大漏电流 | 250 mA |
| 通态非重复峰值电流 | 61000 A |
| 最大通态电压 | 1.3 V |
| 最大通态电流 | 2800000 A |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 断态重复峰值电压 | 1800 V |
| 表面贴装 | NO |
| 触发设备类型 | SCR |
| ST3230C18R0 | ST3230C12R0L | ST3230C16R0L | ST3230C18R0L | ST3230C14R0L | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | Silicon Controlled Rectifier, 2800000mA I(T), 1800V V(DRM) | Silicon Controlled Rectifier, 2800000mA I(T), 1200V V(DRM) | Silicon Controlled Rectifier, 2800000mA I(T), 1600V V(DRM) | Silicon Controlled Rectifier, 2800000mA I(T), 1800V V(DRM) | Silicon Controlled Rectifier, 2800000mA I(T), 1400V V(DRM) |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Vishay(威世) | Vishay(威世) | Vishay(威世) | Vishay(威世) | Vishay(威世) |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
| 标称电路换相断开时间 | 500 µs | 500 µs | 500 µs | 500 µs | 500 µs |
| 最大直流栅极触发电流 | 400 mA | 400 mA | 400 mA | 400 mA | 400 mA |
| 最大直流栅极触发电压 | 4 V | 4 V | 4 V | 4 V | 4 V |
| 最大漏电流 | 250 mA | 250 mA | 250 mA | 250 mA | 250 mA |
| 通态非重复峰值电流 | 61000 A | 61000 A | 61000 A | 61000 A | 61000 A |
| 最大通态电压 | 1.3 V | 1.3 V | 1.3 V | 1.3 V | 1.3 V |
| 最大通态电流 | 2800000 A | 2800000 A | 2800000 A | 2800000 A | 2800000 A |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 断态重复峰值电压 | 1800 V | 1200 V | 1600 V | 1800 V | 1400 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO |
| 触发设备类型 | SCR | SCR | SCR | SCR | SCR |
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