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2N3118

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, TO-5, TO-5, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小101KB,共1页
制造商SSDI
官网地址http://www.ssdi-power.com/
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2N3118概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, TO-5, TO-5, 3 PIN

2N3118规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-5
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)50
JEDEC-95代码TO-5
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
Base Number Matches1

2N3118相似产品对比

2N3118 2N3499 2N3498
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, TO-5, TO-5, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN
是否无铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 TO-5 TO-5 TO-5
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code compli compli compli
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A
配置 Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 50 100 40
JEDEC-95代码 TO-5 TO-5 TO-5
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
JESD-609代码 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 200 °C 175 °C 175 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 1 W 1 W 1 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 150 MHz 150 MHz
Base Number Matches 1 1 1
集电极-发射极最大电压 60 V - 100 V
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