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SHD2186BS

产品描述Power Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小289KB,共4页
制造商SENSITRON
官网地址http://www.sensitron.com/
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SHD2186BS概述

Power Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

SHD2186BS规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SENSITRON
包装说明SMALL OUTLINE, R-CXSO-G2
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压800 V
最大漏极电流 (ID)7.1 A
最大漏源导通电阻1.2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-CXSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

 
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