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SML6040BVR

产品描述16A, 600V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小78KB,共2页
制造商SEMELAB
标准
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SML6040BVR概述

16A, 600V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD

SML6040BVR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SEMELAB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
雪崩能效等级(Eas)960 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (ID)16 A
最大漏源导通电阻0.4 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-247AD
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)64 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

SML6040BVR相似产品对比

SML6040BVR
描述 16A, 600V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
是否Rohs认证 符合
厂商名称 SEMELAB
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code compliant
雪崩能效等级(Eas) 960 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 600 V
最大漏极电流 (ID) 16 A
最大漏源导通电阻 0.4 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-247AD
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e1
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 64 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
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