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74AUP1G57GM

产品描述Low-power configurable multiple function gate
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小155KB,共22页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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74AUP1G57GM概述

Low-power configurable multiple function gate

74AUP1G57GM规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码SON
包装说明1 X 1.45 MM, 0.50 MM HEIGHT, PLASTIC, MO-252, SOT-886, SON-6
针数6
Reach Compliance Codeunknow
系列AUP/ULP/V
JESD-30 代码R-PDSO-N6
JESD-609代码e3
长度1.45 mm
负载电容(CL)30 pF
逻辑集成电路类型LOGIC CIRCUIT
最大I(ol)0.0017 A
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量6
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VSON
封装等效代码SOLCC6,.04,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
包装方法TAPE AND REEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.2/3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Su22.3 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器YES
座面最大高度0.5 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)0.8 V
标称供电电压 (Vsup)1.1 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度1 mm
Base Number Matches1

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74AUP1G57
Low-power configurable multiple function gate
Rev. 4 — 20 July 2010
Product data sheet
1. General description
The 74AUP1G57 provides configurable multiple functions. The output state is determined
by eight patterns of 3-bit input. The user can choose the logic functions AND, OR, NAND,
NOR, XNOR, inverter, and buffer. All inputs can be connected to V
CC
or GND.
This device ensures a very low static and dynamic power consumption across the entire
V
CC
range from 0.8 V to 3.6 V.
This device is fully specified for partial power-down applications using I
OFF
. The I
OFF
circuitry disables the output, preventing the damaging backflow current through the device
when it is powered down.
The 74AUP1G57 has Schmitt trigger inputs making it capable of transforming slowly
changing input signals into sharply defined, jitter-free output signals.
The inputs switch at different points for positive and negative-going signals. The difference
between the positive voltage V
T+
and the negative voltage V
T−
is defined as the input
hysteresis voltage V
H
.
2. Features and benefits
Wide supply voltage range from 0.8 V to 3.6 V
High noise immunity
ESD protection:
HBM JESD22-A114F exceeds 5000 V
MM JESD22-A115-A exceeds 200 V
CDM JESD22-C101E exceeds 1000 V
Low static power consumption; I
CC
= 0.9
μA
(maximum)
Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78 Class II
Inputs accept voltages up to 3.6 V
Low noise overshoot and undershoot < 10 % of V
CC
I
OFF
circuitry provides partial power-down mode operation
Multiple package options
Specified from
−40 °C
to +85
°C
and
−40 °C
to +125
°C
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