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SG2012J/DESC: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小56KB，共2页; 制造商Linfinity Microelectronics

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SG2012J/DESC概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon,

参数名称	属性值
厂商名称	Linfinity Microelectronics
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
最大集电极电流 (IC)	0.6 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	7 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
JESD-30 代码	R-CDIP-T16
元件数量	7
端子数量	16
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
VCEsat-Max	1.9 V

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