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EG01C(Z)

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 1000V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小59KB,共2页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
标准
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EG01C(Z)概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 1000V V(RRM),

EG01C(Z)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)3.3 V
最大非重复峰值正向电流10 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流0.5 A
最大重复峰值反向电压1000 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装NO

EG01C(Z)相似产品对比

EG01C(Z) EG01(Z)
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 1000V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 0.7A, 400V V(RRM),
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 3.3 V 2 V
最大非重复峰值正向电流 10 A 15 A
元件数量 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C
最大输出电流 0.5 A 0.7 A
最大重复峰值反向电压 1000 V 400 V
最大反向恢复时间 0.05 µs 0.05 µs
表面贴装 NO NO

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