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IDT7202SA65LB

产品描述FIFO, 1KX9, 65ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, LCC-32
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文件大小440KB,共13页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7202SA65LB概述

FIFO, 1KX9, 65ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, LCC-32

IDT7202SA65LB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFJ
包装说明LCC-32
针数32
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间65 ns
其他特性RETRANSMIT
周期时间80 ns
JESD-30 代码R-CQCC-N32
JESD-609代码e0
内存密度9216 bit
内存集成电路类型OTHER FIFO
内存宽度9
功能数量1
端子数量32
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织1KX9
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QCCN
封装等效代码LCC32,.45X.55
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流0.03 A
最大压摆率0.115 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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