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BSP106115: 产品描述TRANSISTOR 425 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Signal; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小103KB，共6页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com

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BSP106115概述

TRANSISTOR 425 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Signal

BSP106115规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	NXP(恩智浦)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (ID)	0.425 A
最大漏源导通电阻	4 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	10 pF
JESD-30 代码	R-PDSO-G4
元件数量	1
端子数量	4
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

BSP106115相似产品对比

	BSP106115	BSP106135
描述	TRANSISTOR 425 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 425 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Signal
厂商名称	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
外壳连接	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V	60 V
最大漏极电流 (ID)	0.425 A	0.425 A
最大漏源导通电阻	4 Ω	4 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	10 pF	10 pF
JESD-30 代码	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4
元件数量	1	1
端子数量	4	4
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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