BS870T7-7,BS870T7-7 pdf中文资料,BS870T7-7引脚图,BS870T7-7电路-Datasheet-电子工程世界

BS870T7-7: 产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小69KB，共1页; 制造商Diodes; 官网地址http://www.diodes.com/

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BS870T7-7概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

BS870T7-7规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Diodes
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (ID)	0.25 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	0.31 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管元件材料	SILICON

BS870T7-7相似产品对比

	BS870T7-7	2N7002T7-7	BS850T7-7	BS807T7-7	BS817T7-7
描述	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 45V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	unknown	unknow	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小漏源击穿电压	60 V	60 V	45 V	200 V	200 V
最大漏极电流 (ID)	0.25 A	0.115 A	0.15 A	0.1 A	0.1 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	P-CHANNEL	N-CHANNEL	P-CHANNEL
功耗环境最大值	0.31 W	0.2 W	0.31 W	0.31 W	0.31 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
厂商名称	Diodes	-	Diodes	Diodes	Diodes

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