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HYM71V8M655HCLTU6-8: 产品描述Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS, SODIMM-144; 产品类别存储存储; 文件大小191KB，共14页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

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HYM71V8M655HCLTU6-8概述

Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS, SODIMM-144

HYM71V8M655HCLTU6-8规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	MODULE
包装说明	DIMM, DIMM144,20
针数	144
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	125 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N144
长度	38 mm
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	144
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM144,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	3.8 mm
自我刷新	YES
最大待机电流	0.004 A
最大压摆率	0.8 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
宽度	30 mm

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8Mx64 bits

PC100 SDRAM SO DIMM

based on 8Mx16 SDRAM with LVTTL, 4 banks & 4K Refresh

HYM71V8M655HC(L)TU6 Series

DESCRIPTION

The Hynix HYM71V8M655HCTU6 Series are 8Mx64bits Synchronous DRAM Modules. The modules are composed of four 8Mx16bits

CMOS Synchronous DRAMs in 400mil 54pin TSOP-II package, one 2Kbit EEPROM in 8pin TSSOP package on a 144pin glass-epoxy

printed circuit board. Two 0.33uF and one 0.1uF decoupling capacitors per each SDRAM are mounted on the PCB.

The Hynix HYM71V8M655HCTU6 Series are Dual In-line Memory Modules suitable for easy interchange and addition of 64Mbytes

memory. The Hynix HYM71V8M655HCTU6 Series are fully synchronous operation referenced to the positive edge of the clock . All

inputs and outputs are synchronized with the rising edge of the clock input. The data paths are internally pipelined to achieve very high

bandwidth.

FEATURES

•

PC100MHz support

144pin SDRAM Micro SO DIMM

Serial Presence Detect with EEPROM

1.18” (30.00mm) Height PCB with double sided com-

ponents

Single 3.3±0.3V power supply

- 1, 2, 4 or 8 or Full page for Sequential Burst

•

All device pins are compatible with LVTTL interface

- 1, 2, 4 or 8 for Interleave Burst

Data mask function by DQM

•

Programmable CAS Latency ; 2, 3 Clocks

•

SDRAM internal banks : four banks

Module bank : one physical bank

Auto refresh and self refresh

4096 refresh cycles / 64ms

Programmable Burst Length and Burst Type

ORDERING INFORMATION

Part No.

HYM71V8M655HCTU6-8

HYM71V8M655HCTU6-P

HYM71V8M655HCTU6-S

HYM71V8M655HCLTU6-8

HYM71V8M655HCLTU6-P

HYM71V8M655HCLTU6-S

Clock

Frequency

125MHz

100MHz

Internal

Bank

Ref.

Power

SDRAM

Package

Plating

Normal

4 Banks

Low Power

TSOP-II

Gold

125MHz

100MHz

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor Inc. does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.3/Dec. 01

HYM71V8M655HCLTU6-8相似产品对比

	HYM71V8M655HCLTU6-8	HYM71V8M655HCLTU6-P	HYM71V8M655HCLTU6-S	HYM71V8M655HCTU6-S	HYM71V8M655HCTU6-P	HYM71V8M655HCTU6-8
描述	Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS, SODIMM-144	Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS, SODIMM-144	Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS, SODIMM-144	Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS, SODIMM-144	Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS, SODIMM-144	Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS, SODIMM-144
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE
包装说明	DIMM, DIMM144,20	DIMM, DIMM144,20	DIMM, DIMM144,20	DIMM, DIMM144,20	DIMM, DIMM144,20	DIMM, DIMM144,20
针数	144	144	144	144	144	144
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	6 ns	6 ns	6 ns	6 ns	6 ns	6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	125 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	125 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144
长度	38 mm	38 mm	38 mm	38 mm	38 mm	38 mm
内存密度	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	144	144	144	144	144	144
字数	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
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输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM144,20	DIMM144,20	DIMM144,20	DIMM144,20	DIMM144,20	DIMM144,20
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096	4096	4096
座面最大高度	3.8 mm	3.8 mm	3.8 mm	3.8 mm	3.8 mm	3.8 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大待机电流	0.004 A	0.004 A	0.004 A	0.004 A	0.004 A	0.004 A
最大压摆率	0.8 mA	0.8 mA	0.8 mA	0.8 mA	0.8 mA	0.8 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
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表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	30 mm	30 mm	30 mm	30 mm	30 mm	30 mm

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