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MR1A16AVMA35R

产品描述Memory Circuit,
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文件大小1MB,共20页
制造商Everspin Technologies
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MR1A16AVMA35R概述

Memory Circuit,

MR1A16AVMA35R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Everspin Technologies
包装说明LFBGA,
Reach Compliance Codeunknown
JESD-30 代码S-PBGA-B48
长度8 mm
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度16
功能数量1
端子数量48
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度105 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFBGA
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
座面最大高度1.35 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
宽度8 mm

MR1A16AVMA35R相似产品对比

MR1A16AVMA35R MR1A16ACMA35R MR1A16AMA35R
描述 Memory Circuit, Memory Circuit, Memory Circuit,
是否Rohs认证 符合 符合 符合
包装说明 LFBGA, LFBGA, BGA-48
Reach Compliance Code unknown unknown compliant
JESD-30 代码 S-PBGA-B48 S-PBGA-B48 S-PBGA-B48
长度 8 mm 8 mm 8 mm
内存密度 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit
内存集成电路类型 MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT
内存宽度 16 16 16
功能数量 1 1 1
端子数量 48 48 48
字数 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 105 °C 85 °C 70 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -
组织 128KX16 128KX16 128KX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LFBGA LFBGA LFBGA
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
座面最大高度 1.35 mm 1.35 mm 1.35 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子形式 BALL BALL BALL
端子节距 0.75 mm 0.75 mm 0.75 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
宽度 8 mm 8 mm 8 mm
厂商名称 Everspin Technologies - Everspin Technologies
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