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MD3250ALEADFREE

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-78, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小488KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准  
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MD3250ALEADFREE概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-78, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-6

MD3250ALEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Central Semiconductor
零件包装代码TO-78
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W6
针数6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.05 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)15
JEDEC-95代码TO-78
JESD-30 代码O-MBCY-W6
JESD-609代码e3
元件数量2
端子数量6
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN (315)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz

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MD3250 MD3250A
MD3251 MD3251A
DUAL PNP
SILICON TRANSISTOR
Central
TM
Semiconductor Corp.
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR MD3250
and MD3251 Series types are dual PNP silicon
transistors, manufactured by the epitaxial planar
process utilizing two individual chips mounted in
a hermetically sealed metal case, designed for
differential amplifier applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
TO-78 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation (One Die)
Power Dissipation (Both Die)
Power Dissipation (One Die), TC=25°C
Power Dissipation (Both Die), TC=25°C
Operating and Storage Junction Temperature
SYMBOL
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
PD
PD
TJ, Tstg
40
50
5.0
50
575
625
1.8
2.5
-65 to +200
UNITS
V
V
V
mA
mW
mW
W
W
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
ICBO
VCB=40V
ICBO
IEBO
BVCEO
BVCBO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
hFE
hFE
hFE
hFE
hFE
VCB=40V, TA=150°C
VBE=3.0V
IC=10mA
IC=10μA
IE=10μA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
IC=10mA,
IC=50mA,
IB=1.0mA
IB=5.0mA
40
50
5.0
MAX
10
10
10
UNITS
nA
μA
nA
V
V
V
0.25
0.50
0.60
25
50
50
80
50
100
50
100
150
300
150
300
0.90
1.2
V
V
V
V
VCE=5.0V, IC=10μA (MD3250,A)
VCE=5.0V, IC=10μA (MD3251,A)
VCE=5.0V,
VCE=5.0V,
IC=100μA (MD3250,A)
IC=100μA (MD3251,A)
VCE=5.0V, IC=1.0mA (MD3250,A)
VCE=5.0V, IC=1.0mA (MD3251,A)
VCE=5.0V,
VCE=5.0V,
IC=10mA (MD3250,A)
IC=10mA (MD3251,A)
R0 (9-June 2009)

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描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-78, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-6 Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-78, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-6 Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-78, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-6 Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-78, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-6
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor
零件包装代码 TO-78 TO-78 TO-78 TO-78
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W6 CYLINDRICAL, O-MBCY-W6 CYLINDRICAL, O-MBCY-W6 CYLINDRICAL, O-MBCY-W6
针数 6 6 6 6
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.05 A 0.05 A 0.05 A 0.05 A
集电极-发射极最大电压 40 V 40 V 40 V 40 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE) 15 30 30 15
JEDEC-95代码 TO-78 TO-78 TO-78 TO-78
JESD-30 代码 O-MBCY-W6 O-MBCY-W6 O-MBCY-W6 O-MBCY-W6
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3
元件数量 2 2 2 2
端子数量 6 6 6 6
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子面层 MATTE TIN (315) MATTE TIN (315) MATTE TIN (315) MATTE TIN (315)
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 10 10
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 250 MHz 250 MHz 200 MHz

 
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