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MJE231LEADFREE

产品描述Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小35KB,共1页
制造商Central Semiconductor
标准  
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MJE231LEADFREE概述

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

MJE231LEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)4 A
基于收集器的最大容量70 pF
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JEDEC-95代码TO-126
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值1.5 W
最大功率耗散 (Abs)15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)10 MHz
VCEsat-Max2.5 V
招聘Windows Mobile/Win CE应用工程师
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