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MJ4034

产品描述Bipolar Transistors;NPN;15A;80V;TO-3
文件大小178KB,共2页
制造商Inchange Semiconductor
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MJ4034概述

Bipolar Transistors;NPN;15A;80V;TO-3

MJ4034规格参数

参数名称属性值
厂商名称Inchange Semiconductor
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)16 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)1000
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)150 W
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max4 V

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INCHANGE Semiconductor
isc
Silicon NPN Darlington Power Transistor
DESCRIPTION
·With
TO-3 packaging
·Very
high DC current gain
·Monolithic
darlington transistor with integrated
antiparallel collector-emitter diode
·Minimum
Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
MJ4034
APPLICATIONS
·Electronic
ignition
·Alternator
regulator
·Motor
controls
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
a
=25℃)
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
stg
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current-Continuous
Max.Collector Current-Continuous
Base Current- Continuous
Collector Power Dissipation
Max.Junction Temperature
Storage Temperature Range
VALUE
80
80
5
15
20
0.5
150
200
-65~200
UNIT
V
V
V
A
A
A
W
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
R
th j-c
PARAMETER
Thermal Resistance,Junction to Case
MAX
1.17
UNIT
℃/W
isc website:
www.iscsemi.com
1
isc
&
iscsemi
is registered trademark
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