电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

2N6214

产品描述Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小73KB,共1页
制造商API Technologies
官网地址http://www.apitech.com/about-api
下载文档 详细参数 全文预览

2N6214在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
2N6214 - - 点击查看 点击购买

2N6214概述

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin,

2N6214规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codecompli
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JEDEC-95代码TO-66
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)20 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)20 MHz
VCEsat-Max2.5 V
Base Number Matches1

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 111  258  1160  1373  1681 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved