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MH1M09B1J-10: 产品描述DRAM Module, 1MX9, 100ns, CMOS, SIMM-30; 产品类别存储存储; 文件大小347KB，共11页; 制造商Mitsubishi(日本三菱); 官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/

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MH1M09B1J-10概述

DRAM Module, 1MX9, 100ns, CMOS, SIMM-30

MH1M09B1J-10规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码	SIMM
包装说明	SIMM, SIM30
针数	30
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	NIBBLE
最长访问时间	100 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XSMA-N30
内存密度	9437184 bit
内存集成电路类型	DRAM MODULE
内存宽度	9
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	30
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX9
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	SIMM
封装等效代码	SIM30
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	512
座面最大高度	20.32 mm
最大待机电流	0.0045 A
最大压摆率	0.54 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	2.54 mm
端子位置	SINGLE

MH1M09B1J-10相似产品对比

	MH1M09B1J-10	MH1M09B1JA-10	MH1M09B1J-7	MH1M09B1JA-8	MH1M09B1J-8	MH1M09B1JA-7
描述	DRAM Module, 1MX9, 100ns, CMOS, SIMM-30	DRAM Module, 1MX9, 100ns, CMOS, SIMM-30	DRAM Module, 1MX9, 70ns, CMOS, SIMM-30	DRAM Module, 1MX9, 80ns, CMOS, SIMM-30	DRAM Module, 1MX9, 80ns, CMOS, SIMM-30	DRAM Module, 1MX9, 70ns, CMOS, SIMM-30
厂商名称	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM
包装说明	SIMM, SIM30	, SIP30,.2	SIMM, SIM30	, SIP30,.2	SIMM, SIM30	, SIP30,.2
针数	30	30	30	30	30	30
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	NIBBLE	NIBBLE	NIBBLE	NIBBLE	NIBBLE	NIBBLE
最长访问时间	100 ns	100 ns	70 ns	80 ns	80 ns	70 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XSMA-N30	R-XSMA-T30	R-XSMA-N30	R-XSMA-T30	R-XSMA-N30	R-XSMA-T30
内存密度	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bi	9437184 bi
内存集成电路类型	DRAM MODULE	DRAM MODULE	DRAM MODULE	DRAM MODULE	DRAM MODULE	DRAM MODULE
内存宽度	9	9	9	9	9	9
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	30	30	30	30	30	30
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX9	1MX9	1MX9	1MX9	1MX9	1MX9
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装等效代码	SIM30	SIP30,.2	SIM30	SIP30,.2	SIM30	SIP30,.2
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	512	512	512	512	512	512
座面最大高度	20.32 mm	21.082 mm	20.32 mm	21.082 mm	20.32 mm	21.082 mm
最大待机电流	0.0045 A	0.0045 A	0.0045 A	0.0045 A	0.0045 A	0.0045 A
最大压摆率	0.54 mA	0.54 mA	0.72 mA	0.63 mA	0.63 mA	0.72 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	THROUGH-HOLE	NO LEAD	THROUGH-HOLE	NO LEAD	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE

MH1M09B1J-10

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MH1M09B1J-10规格参数

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