GaAs-IR-Lumineszenzdioden (950 nm) in SMR
®
Gehäuse
GaAs Infrared Emitters (950 nm) in SMR
®
Package
SFH 4510
SFH 4515
SFH 4510
SFH 4515
Wesentliche Merkmale
• GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
• SMR
®
(Surface Mount Radial) Gehäuse
• Für Oberflächenmontage geeignet
• Gegurtet lieferbar
• Gehäusegleich mit Fotodiode SFH 2500/
SFH 2505
• Hohe Zuverlässigkeit
• Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
• UL-Freigabe
Anwendungen
• IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern
• Gerätefernsteuerungen für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Sensorik
• Diskrete Lichtschranken
• Diskrete Optokoppler
Typ
Type
SFH 4510
SFH 4515
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P1798
Q62702-P1821
Gehäuse
Package
Features
• Very highly efficient GaAs-LED
• SMR
®
(Surface Mount Radial) package
• Suitable for surface mounting (SMT)
• Available on tape and reel
• Same package as photodiode SFH 2500/
SFH 2505
• High reliability
• Spectral match with silicon photodetectors
• UL-approval
Applications
• IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
• Remote control for steady and varying intensity
• Sensor technology
• Discrete interrupters
• Discrete optocouplers
5-mm-SMR
®
-Gehäuse (T 1
3
/
4
), schwarzes Epoxy-
Gießharz, Anschlüsse (SFH 4510 gebogen, SFH 4515 gerade)
im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
’’), Kathodenkennzeichnung: siehe
Maßzeichnung.
5 mm SMR
®
package (T 1
3
/
4
), black-colored epoxy resin, solder
tabs (SFH 4510 bent, SFH 4515 straight) lead spacing 2.54 mm
(
1
/
10
’’), cathode marking: see package outline.
1
OPTO SEMICONDUCTORS
2000-01-01
SFH 4510, SFH 4515
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom,
t
p
=
10
µs,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
…
+ 85
5
100
3
150
300
Einheit
Unit
°C
V
mA
A
mW
K/W
T
op
;
T
stg
V
R
I
F
(DC)
I
FSM
P
tot
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei
R
thJA
Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 20 mm
2
Thermal resistance junction - ambient mounted
on PC-board (FR4), padsize 20 mm
2
each
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA
Spektrale Bandbreite bei 50% von
Ι
max
Spectral bandwidth at 50% of
Ι
max
I
F
= 100 mA
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von 90% auf
10%, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
Ι
e
from 10% to 90% and from 90%
to 10%,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
2000-01-01
2
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
950
Einheit
Unit
nm
∆λ
55
nm
ϕ
±
14
0.09
0.3
×
0.3
0.5
Grad
deg.
mm
2
mm
µs
A
L
×
B
L
×
W
t
r
,
t
f
OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 4510, SFH 4515
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Parameter
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Sperrstrom,
Reverse current
V
R
= 5 V
Gesamtstrahlungsfluß,
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
λ,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ,
I
F
= 100 mA
Symbol
Symbol
Wert
Value
25
Einheit
Unit
pF
C
o
V
F
V
F
I
R
1.30 (≤ 1.5)
2.30 (≤ 2.8)
0.01 (≤ 1)
V
V
µA
Φ
e
22
mW
TC
I
TC
V
TC
λ
– 0.5
–2
0.3
%/K
mV/K
nm/K
2000-01-01
3
OPTO SEMICONDUCTORS
京公网安备 11010802033920号
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