IR-Lumineszenzdiode
Infrared Emitter
SFH 4010
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Wesentliche Merkmale
• Sehr kleines Gehäuse:
(LxBxH) 1,7 mm x 0,8 mm x 0,65 mm
• Typische Peakwellenlänge 950nm
• IR Reflow Löten geeignet
• Gegurtet lieferbar
•
Anwendungen
• Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb, Lochstreifenleser
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
• Sensorik
• Alarm- und Sicherungssysteme
• IR-Freiraumübertragung
Typ
Type
SFH 4010
1)
Features
• Very small package:
(LxWxH) 1.7 mm x 0.8 mm x 0.65 mm
• Typical Peakwavelength 950nm
• DC (with modulation) or pulsed operations are
possible
• Suitable for IR reflow soldering
Applications
•
•
•
•
•
•
Miniature photointerrupters
Industrial electronics
For drive and control circuits
Sensor technology
Alarm and safety equipment
IR free air transmission
Bestellnummer
Ordering Code
on request
Strahlstärkegruppierung
1)
(
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms)
Radiant intensity grouping
1)
I
e
(mW/sr)
> 1.0 (typ. 2.5)
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr / measured at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
2002-04-26
1
SFH 4010
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom,
τ =
10
µs,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
…
+ 100
5
100
3
160
450
Einheit
Unit
°C
V
mA
A
mW
K/W
T
op
;
T
stg
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei
R
thJA
Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm
2
Thermal resistance junction - ambient mounted
on PC-board (FR4), padsize 16 mm
2
each
Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei
R
thJS
Montage auf Metall-Block
Thermal resistance junction - soldering point,
mounted on metal block
≈
250
K/W
2002-04-26
2
SFH 4010
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F
= 100 m A
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimensions of the active chip area
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
Ι
e
from 10% to 90% and from
90% to 10%,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Kapazität,
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Durchlaßspannung,
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Sperrstrom,
Reverse current
V
R
= 5 V
Gesamtstrahlungsfluß,
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
950
Einheit
Unit
nm
∆λ
55
nm
ϕ
±
80
0.09
0.3
×
0.3
0.5
Grad
deg.
mm
2
mm
µs
A
L
×
B
L
×
W
t
r
,
t
f
C
o
25
pF
V
F
V
F
I
R
1.3 (≤ 1.5)
1.9 (≤ 2.5)
0.01 (≤ 1)
V
V
µA
Φ
e
20
mW
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
TC
I
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
λ,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ,
I
F
= 100 mA
2002-04-26
– 0.55
%/K
TC
V
TC
λ
–2
+ 0.3
mV/K
nm/K
3
SFH 4010
Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
Radiant Intensity
I
e
in Axial Direction
at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
Bezeichnung
Parameter
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Symbol
I
e min
I
e typ
I
e typ
Werte
Values
1.0
2.5
22
Einheit
Unit
mW/sr
mW/sr
mW/sr
2002-04-26
4
SFH 4010
Relative Spectral Emission
I
rel
=
f
(λ)
100
%
OHR01938
Radiant Intensity
Ι
e
100 mA
Ι
e
=
f
(
I
F
)
Single pulse,
t
p
= 20
µs
Ι
e
Ι
e 100 mA
10
2
A
OHR01551
Max. Permissible Forward Current
I
F
=
f
(
T
A
)
120
OHR00883
Ι
rel
Ι
F
mA
100
80
10
1
80
60
10
40
0
R
thjA
= 450 K/W
60
40
10
20
-1
20
0
880
920
960
1000
nm
λ
1060
10
-2
10
-3
0
10
-2
10
-1
10
0
A 10
1
Ι
F
0
20
40
60
80
100 ˚C 120
T
A
Forward Current
I
F
=
f
(
V
F
) single pulse,
t
p
= 20
µs
10
1
OHR01554
Permissible Pulse Handling
Capability
I
F
=
f
(
t
p
),
T
A
= 25
°C
duty cycle
D
= parameter
10
4
OHR00860
Ι
F
A
Ι
F
mA
5
D
= 0.005
0.01
t
p
t
p
D
=
T
T
Ι
F
10
0
0.02
10
-1
10
3
0.1
0.2
0.05
5
10
-2
0.5
10
-3
0
1
2
3
4
5
6
V
V
F
8
DC
10
2
-5
10 10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s 10
2
t
p
Radiation Characteristics
S
el
=
f
(ϕ)
40˚
30˚
20˚
ϕ
10˚
0˚
1.0
OHF00614
50˚
0.8
60˚
0.6
70˚
0.4
80˚
90˚
0.2
0
100˚
1.0
0.8
0.6
0.4
0˚
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
2002-04-26
5
京公网安备 11010802033920号
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