GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse
GaAs Infrared Emitter in SMT Package
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 4211
Wesentliche Merkmale
• GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
• Gute Linearität (I
e
=
f
[
I
F
]) bei hohen Strömen
• Gleichstrom- (mit Modulation) oder
Impulsbetrieb möglich
• Hohe Zuverlässigkeit
• Hohe Impulsbelastbarkeit
• Oberflächenmontage geeignet
• Gegurtet lieferbar
• SFH 4211 Gehäusegleich mit SFH 320
Anwendungen
• Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb, Lochstreifenleser
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
• Automobiltechnik
• Sensorik
• Alarm- und Sicherungssysteme
• IR-Freiraumübertragung
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Features
• Very highly efficient GaAs-LED
• Good Linearity (Ι
e
=
f
[
I
F
]) at high currents
• DC (with modulation) or pulsed operations are
possible
• High reliability
• High pulse handling capability
• Suitable for surface mounting (SMT)
• Available on tape and reel
• SFH 4211 same package as SFH 320
Applications
•
•
•
•
•
•
•
Miniature photointerrupters
Industrial electronics
For drive and control circuits
Automotive technology
Sensor technology
Alarm and safety equipment
IR free air transmission
Gehäuse
Package
Kathodenkennzeichnung: abgesetzte Ecke
cathode marking: beveled edge
TOPLED
®
SFH 4211
Q65110A2515
2008-08-18
1
SFH 4211
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlassstrom
Forward current
Stoßstrom,
τ =
10
µs,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
…
+ 100
5
100
3
160
450
Einheit
Unit
°C
V
mA
A
mW
K/W
T
op
;
T
stg
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei
R
thJA
Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm
2
Thermal resistance junction - ambient mounted
on PC-board (FR4), padsize 16 mm
2
each
Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei
R
thJS
Montage auf Metall-Block
Thermal resistance junction - soldering point,
mounted on metal block
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F
= 100 mA
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimensions of the active chip area
Symbol
Symbol
λ
peak
200
K/W
Wert
Value
950
Einheit
Unit
nm
∆λ
55
nm
ϕ
±
60
0.09
0.3
×
0.3
Grad
deg.
mm
2
mm²
A
L
×
B
L
×
W
2008-08-18
2
SFH 4211
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Parameter
Schaltzeiten,
Ι
e
von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
Ι
e
from 10% to 90% and from
90% to10%,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Durchlassspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
Gesamtstrahlungsfluss
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
λ,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ,
I
F
= 100 mA
Symbol
Symbol
Wert
Value
0.5
Einheit
Unit
µs
t
r
,
t
f
C
o
25
pF
V
F
V
F
I
R
1.3 (≤ 1.5)
2.3 (≤ 2.8)
0.01 (≤ 1)
V
V
µA
Φ
e
20
mW
TC
I
– 0.5
%/K
TC
V
TC
λ
–2
+ 0.3
mV/K
nm/K
Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
(gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr)
Radiant Intensity
I
e
in Axial Direction
(at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr)
Bezeichnung
Parameter
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
2008-08-18
Symbol
I
e min
I
e typ
I
e typ.
Werte
Values
2.5
6.0
45
Einheit
Unit
mW/sr
mw/sr
mW/sr
3
SFH 4211
Relative Spectral Emission
I
rel
=
f
(λ)
100
%
OHR01938
Radiant Intensity
Ι
e
100 mA
Ι
e
=
f
(
I
F
)
Single pulse,
t
p
= 20
µs
Ι
e
Ι
e 100 mA
10
2
A
OHR01551
Permissible Pulse Handling
Capability
I
F
=
f
(
t
p
), duty cycle
D
= parameter,
T
A
= 20
°C
10
4
OHR00860
Ι
rel
80
Ι
F
mA
5
D
= 0.005
0.01
t
p
t
p
D
=
T
T
Ι
F
10
1
60
0.02
10
0
10
3
0.1
0.2
0.05
40
5
10
-1
20
0.5
0
880
920
960
1000
nm
λ
1060
10
-2
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
A
Ι
F
10
1
DC
10
2
-5
10 10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s 10
2
t
p
Forward Current
I
F
=
f
(
V
F
), single pulse,
t
p
= 20
µs
10
1
OHR01554
Max. Permissible Forward Current
I
F
=
f
(
T
A
)
120
OHR00883
Ι
F
A
Ι
F
mA
100
0
10
80
R
thjA
= 450 K/W
10
-1
60
40
10
-2
20
10
-3
0
1
2
3
4
5
6
V
V
F
8
0
0
20
40
60
80
100 ˚C 120
T
A
Radiation Characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
40˚
30˚
20˚
10˚
0˚
OHL01660
ϕ
1.0
50˚
0.8
0.6
60˚
0.4
70˚
0.2
80˚
90˚
100˚
1.0
0.8
0.6
0.4
0˚
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
0
2008-08-18
4
SFH 4211
Maßzeichnung
Package Outlines
3.0 (0.118)
2.6 (0.102)
2.3 (0.091)
2.1 (0.083)
2.1 (0.083)
1.7 (0.067)
0.1 (0.004) (typ.)
0.9 (0.035)
0.7 (0.028)
3.7 (0.146)
3.3 (0.130)
4˚±1
A
(2.4) (0.095)
3.4 (0.134)
3.0 (0.118)
C
1.1 (0.043)
0.5 (0.020)
Cathode marking
0.18 (0.007)
0.12 (0.005)
0.6 (0.024)
0.4 (0.016)
GPLY6724
Maße in mm (inch) / Dimensions in mm (inch).
Empfohlenes Lötpaddesign
Recommended Solder Pad
Reflow Löten
Reflow Soldering
2.6 (0.102)
1.5 (0.059)
4.5 (0.177)
2.6 (0.102)
Padgeometrie für
verbesserte Wärmeableitung
Paddesign for
improved heat dissipation
Lötstopplack
Solder resist
Cu-Fläche > 16 mm
2
Cu-area > 16 mm
2
OHLPY970
2008-08-18
5
1.5 (0.059)
4.5 (0.177)
京公网安备 11010802033920号
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