Photo Transistor, 780nm, 0.05A I(C)
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
Reach Compliance Code | unknown |
最大暗电源 | 5 nA |
JESD-609代码 | e0 |
安装特点 | THROUGH HOLE MOUNT |
最大通态电流 | 0.05 A |
最高工作温度 | 100 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
峰值波长 | 780 nm |
最大功率耗散 | 0.165 W |
最长响应时间 | 0.000007 s |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
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