IDT70261L35PF9,IDT70261L35PF9 pdf中文资料,IDT70261L35PF9引脚图,IDT70261L35PF9电路-Datasheet-电子工程世界

IDT70261L35PF9: 产品描述Dual-Port SRAM, 16KX16, 35ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100; 产品类别存储存储; 文件大小180KB，共19页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT70261L35PF9概述

Dual-Port SRAM, 16KX16, 35ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFP
包装说明	14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
针数	100
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	35 ns
其他特性	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE
JESD-30 代码	S-PQFP-G100
JESD-609代码	e0
长度	14 mm
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	16
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	100
字数	16384 words
字数代码	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	16KX16
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFQFP
封装形状	SQUARE
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	14 mm

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