Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, D2PAK-3
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Microsemi |
| 零件包装代码 | D2PAK |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 其他特性 | LOW CONDUCTION LOSS |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 100 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 600 V |
| 配置 | SINGLE |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 245 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | PURE MATTE TIN |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 202 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 55 ns |
| APT50GP60SG | APT50GP60B | APT50GP60S | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, D2PAK-3 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3 PIN | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, D2PAK-3 |
| 是否无铅 | 不含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Microsemi | Microsemi | Microsemi |
| 零件包装代码 | D2PAK | TO-247AD | D2PAK |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | D2PAK-3 |
| 针数 | 3 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | unknown |
| 其他特性 | LOW CONDUCTION LOSS | LOW CONDUCTION LOSS | LOW CONDUCTION LOSS |
| 外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 100 A | 100 A | 100 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 600 V | 600 V | 600 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSFM-T3 | R-PSSO-G2 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 3 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | FLANGE MOUNT | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 245 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | NO | YES |
| 端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL | POWER CONTROL | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 202 ns | 202 ns | 202 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 55 ns | 55 ns | 55 ns |
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