Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 12V, Silicon, Hyperabrupt
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Cobham Semiconductor Solutions |
包装说明 | R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | LOW NOISE |
最小击穿电压 | 12 V |
配置 | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
二极管电容容差 | 14.29% |
最小二极管电容比 | 1.8 |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
频带 | VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散 | 0.25 W |
认证状态 | Not Qualified |
最小质量因数 | 300 |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
变容二极管分类 | HYPERABRUPT |
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