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JANTX2N6251

产品描述Power Bipolar Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小416KB,共5页
制造商VPT Inc
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JANTX2N6251概述

Power Bipolar Transistor,

JANTX2N6251规格参数

参数名称属性值
厂商名称VPT Inc
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant

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2N6249, 2N6250, & 2N6251
NPN Darlington Power Silicon Transistor
Rev. V4
Features
Available in JAN, JANTX, JANTXV per MIL-PRF-19500/510
TO-3 (TO-204AA) Package
Suitable for High Voltage, High Current, High Speed Switching
Applications
Electrical Characteristics (T
A
= +25
o
C unless otherwise noted)
Parameter
Test Conditions
I
C
= 200 mA dc, L = 42 mH,
f = 30
-
60 GHz
2N6249
2N6250
2N6251
I
C
= 200 mA dc, L = 42 mH,
f = 30
-
60 GHz
R
BE
= 50
Ω
2N6249
2N6250
2N6251
V
EB
= 6 Vdc
V
CE
= 150 V dc, 2N6249
V
CE
= 225 V dc, 2N6250
V
CE
= 300 V dc, 2N6251
V
CE
= 225 V dc, V
BE
=
-1.5
V dc, 2N6249
V
CE
= 300 V dc, V
BE
=
-1.5
V dc, 2N6250
V
CE
= 375 V dc, V
BE
=
-1.5
V dc, 2N6251
V
CE
= 300 V dc, 2N6249
V
CE
= 375 V dc, 2N6250
V
CE
= 450 V dc, 2N6251
I
C
= 10 A dc, V
CE
= 3 Vdc
2N6249
2N6250
2N6251
I
C
= 10 A dc, I
B
= 1.0 A dc, 2N6249
I
C
= 10 A dc, I
B
= 1.25 A dc, 2N6250
I
C
= 10 A dc, I
B
= 1.67 A dc, 2N6251
I
C
= 10 A dc, I
B
= 1.0 A dc, 2N6249
I
C
= 10 A dc, I
B
= 1.25 A dc, 2N6250
I
C
= 10 A dc, I
B
= 1.67 A dc, 2N6251
Symbol Units
Min.
Max.
Collector
-
Emitter Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
V dc
200
275
350
Collector
-
Emitter Breakdown Voltage
V
(BR)CER
V dc
225
300
375
100
Emitter
-
Base Cutoff Current
I
EBO
µA dc
Collector
-
Emitter Cutoff Current
I
CEO
mA dc
1.0
Collector
-
Emitter Cutoff Current
I
CEX1
µA dc
10
Collector
-
Base Cutoff Current
I
CBO
mA dc
0.5
Forward Current Transfer Ratio
h
FE1
-
10
8
6
50
50
50
Collector
-
Emitter Sustaining Voltage
V
CE(SAT)
V dc
1.5
Base
-
Emitter Saturation Voltage
V
BE(SAT)
V dc
2.25
1
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Visit
www.vptcomponents.com
for additional data sheets and product information.
For further information and support please visit:
info@vptcomponents.com.
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