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APTM100A13SC

产品描述Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 1000V, 0.13ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MODULE-7
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小313KB,共7页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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APTM100A13SC概述

Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 1000V, 0.13ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MODULE-7

APTM100A13SC规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码MODULE
包装说明MODULE-7
针数7
Reach Compliance Codeunknown
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)1300 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)65 A
最大漏极电流 (ID)65 A
最大漏源导通电阻0.13 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XUFM-X7
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量7
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)240 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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