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2SA1189DRF

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92(1), 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小63KB,共3页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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2SA1189DRF概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92(1), 3 PIN

2SA1189DRF规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TO-92
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压120 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)250
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)130 MHz
Base Number Matches1
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