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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2MBI200NB-120-01D
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2MBI200NB-120-01D

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小196KB，共4页
制造商Fuji Electric Co Ltd
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2MBI200NB-120-01D概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7

2MBI200NB-120-01D规格参数

参数名称属性值
零件包装代码MODULE
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数7
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)200 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND CUR LIMITING CIRCUIT
JESD-30 代码R-XUFM-X7
元件数量2
端子数量7
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)850 ns
标称接通时间 (ton)650 ns
Base Number Matches1

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2MBI200NB-120-01
1200V / 200A 2 in one-package
Features
· VCE(sat) classified for easy parallel connection
· High speed switching
· Voltage drive
· Low inductance module structure
IGBT Module
Applications
· Inverter for Motor drive
· AC and DC Servo drive amplifier
· Uninterruptible power supply
· Industrial machines, such as Welding machines
Equivalent Circuit Schematic
C2E1
Maximum ratings and characteristics
Absolute maximum ratings
(at Tc=25°C unless otherwise specified)
Item
Collector-Emitter voltage
Gate-Emitter voltage
Collector Continuous
current
1ms
1ms
Max. power dissipation
Operating temperature
Storage temperature
Isolation voltage
Screw torque
Symbol
V
CES
V
GES
I
C
I
C
pulse
-I
C
-I
C
pulse
P
C
T
j
T
stg
V
is
Mounting *
1
Terminals *
2
Rating
1200
±20
200
400
200
400
1500
+150
-40 to +125
AC 2500 (1min.)
3.5
4.5
Unit
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
V
N·m
N·m
C1
E2
¤
¤
G1
E1
G2
¤ Current control circuit
E2
*
1 :
Recommendable value : 2.5 to 3.5 N·m (M5) or (M6)
*
2 :
Recommendable value : 3.5 to 4.5 N·m (M6)
Electrical characteristics (at Tj=25°C unless otherwise specified)
Item
Zero gate voltage collector current
Gate-Emitter leakage current
Gate-Emitter threshold voltage
Collector-Emitter saturation voltage
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on time
Turn-off time
Diode forward on voltage
Reverse recovery time
Symbol
I
CES
I
GES
V
GE(th)
Characteristics
Min.
Typ.
–
–
4.5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
型
廃
is
D
on
c
–
–
–
–
32000
11600
10320
0.65
0.25
0.85
0.35
nu
ti
Max.
2.0
30
7.5
3.3
–
–
–
1.2
0.6
1.5
0.5
3.0
0.35
種
機
Rank
F
A
B
Lenge
V
CE(sat)
classification
Conditions
Ic = 200A
V
GE
= 15V
Tj = 25°C
2.25 to 2.50V
2.40 to 2.65V
2.55 to 2.80V
dp
e
C
D
E
rod
2.70 to 2.95V
2.85 to 3.10V
3.00 to 3.30V
ct.
u
Conditions
Unit
mA
µA
V
V
pF
V
GE
=0V, V
CE
=1200V
V
CE
=0V, V
GE
=±20V
V
CE
=20V, I
C
=200mA
V
GE
=15V, I
C
=200A
V
GE
=0V
V
CE
=10V
f=1MHz
V
CC
=600V
I
C
=200A
V
GE
=±15V
R
G
=4.7ohm
I
F
=200A, V
GE
=0V
I
F
=200A
V
CE(sat)
C
ies
C
oes
C
res
t
on
t
r
t
off
t
f
V
F
t
rr
µs
V
µs
Thermal resistance characteristics
Item
Symbol
Rth(j-c)
Rth(j-c)
Rth(c-f)*
Characteristics
Min.
Typ.
–
–
–
–
–
0.025
Conditions
Max.
0.085
0.18
–
IGBT
Diode
the base to cooling fin
°C/W
°C/W
°C/W
Unit
Thermal resistance
* : This is the value which is defined mounting on the additional cooling fin with thermal compound

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2MBI200NB-120-01D 2MBI200NB-120-01E 2MBI200NB-120-01B 2MBI200NB-120-01C 2MBI200NB-120-01A 2MBI200NB-120-01F
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
零件包装代码 MODULE MODULE MODULE MODULE MODULE MODULE
包装说明 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数 7 7 7 7 7 7
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 200 A 200 A 200 A 200 A 200 A 200 A
集电极-发射极最大电压 1200 V 1200 V 1200 V 1200 V 1200 V 1200 V
配置 SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND CUR LIMITING CIRCUIT SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND CUR LIMITING CIRCUIT SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND CUR LIMITING CIRCUIT SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND CUR LIMITING CIRCUIT SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND CUR LIMITING CIRCUIT SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND CUR LIMITING CIRCUIT
JESD-30 代码 R-XUFM-X7 R-XUFM-X7 R-XUFM-X7 R-XUFM-X7 R-XUFM-X7 R-XUFM-X7
元件数量 2 2 2 2 2 2
端子数量 7 7 7 7 7 7
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL POWER CONTROL POWER CONTROL POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 850 ns 850 ns 850 ns 850 ns 850 ns 850 ns
标称接通时间 (ton) 650 ns 650 ns 650 ns 650 ns 650 ns 650 ns
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1

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