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APM2317AC-TRG: 产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN PACKAGE-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小149KB，共10页; 制造商American Power Devices Inc; 标准

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APM2317AC-TRG概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN PACKAGE-3

	APM2317AC-TRG	APM2317AC-TRL
描述	Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN PACKAGE-3	Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE PACKAGE-3
是否无铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	American Power Devices Inc	American Power Devices Inc
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	LEAD FREE PACKAGE-3
针数	3	3
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	20 V	20 V
最大漏极电流 (ID)	4.5 A	4.5 A
最大漏源导通电阻	0.035 Ω	0.035 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3	e3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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