16-CHANNEL, SGL ENDED MULTIPLEXER, CDIP28, CERAMIC, DIP-28
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP28,.6 |
| 针数 | 28 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | SINGLE-ENDED MULTIPLEXER |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 信道数量 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 最大通态电阻 (Ron) | 400 Ω |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V |
| 座面最大高度 | 5.92 mm |
| 最大信号电流 | 0.02 A |
| 最大供电电流 (Isup) | 3 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 最长断开时间 | 500 ns |
| 最长接通时间 | 500 ns |
| 切换 | BREAK-BEFORE-MAKE |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 总剂量 | 10k Rad(Si) V |
| 宽度 | 15.24 mm |
| 5962D9569101VXA | 5962D9569102VXA | |
|---|---|---|
| 描述 | 16-CHANNEL, SGL ENDED MULTIPLEXER, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 | 8-CHANNEL, DIFFERENTIAL MULTIPLEXER, CDIP28 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
| 零件包装代码 | DIP | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP28,.6 | DIP, DIP28,.6 |
| 针数 | 28 | 28 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | SINGLE-ENDED MULTIPLEXER | DIFFERENTIAL MULTIPLEXER |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T28 | R-GDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V |
| 信道数量 | 16 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 28 | 28 |
| 最大通态电阻 (Ron) | 400 Ω | 400 Ω |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-15 V | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V | MIL-PRF-38535 Class V |
| 座面最大高度 | 5.92 mm | 5.92 mm |
| 最大信号电流 | 0.02 A | 0.02 A |
| 最大供电电流 (Isup) | 3 mA | 3 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 最长断开时间 | 500 ns | 500 ns |
| 最长接通时间 | 500 ns | 500 ns |
| 切换 | BREAK-BEFORE-MAKE | BREAK-BEFORE-MAKE |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 总剂量 | 10k Rad(Si) V | 10k Rad(Si) V |
| 宽度 | 15.24 mm | 15.24 mm |
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