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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N6621
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1N6621

产品描述1.2 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小31KB，共3页
制造商SEMTECH
官网地址http://www.semtech.com
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1N6621概述

1.2 A, SILICON, RECTIFIER DIODE

1N6621规格参数

参数名称属性值
厂商名称SEMTECH
包装说明HERMETIC SEALED PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
其他特性LOW LEAKAGE CURRENT
应用ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.6 V
JESD-30 代码O-XALF-W2
最大非重复峰值正向电流20 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向恢复时间0.03 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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1N6620 THRU 1N6625
Axial Leaded Hermetically Sealed
Ultra Fast Recovery Rectifier Diode
POWER DISCRETES
Description
Quick reference data
V
R
= 200 - 1000V
I
F
= 1.5 - 2.0 A
t
rr
= 30 - 60ns
V
F
= 1.6 -1.95V
Features
Low reverse leakage current
Hermetically sealed in fused metal oxide
Good thermal shock resistance
Low forward voltage drop
Avalanche capability
Absolute Maximum Ratings
Electrical specifications @ T
A
= 25°C unless otherwise specified.
Symbol
Working Reverse Voltage
Average Forward Current
@ 55°C in free air, lead length
0.375"
Non-Repetitive Surge Current
(tp = 8.3mS @ V
R
& T
JMAX
)
(tp = 8.3mS, @ V
R
& 25°C)
Storage Temperature Range
V
RWM
I
F(AV)
1N 6620
200
1N 6621
400
1N 6622
600
1N 6623
800
1N 6624 1N 6625
900
1000
Units
V
2.0
2.0
2.0
1.5
1.5
1.5
A
I
FSM
T
STG
20
20
20
-65 to +175
20
20
15
A
°C
Revision: November, 2009
1
www.semtech.com

1N6621相似产品对比

1N6621 1N6620 1N6622 1N6623 1N6624 1N6625
描述 1.2 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 2 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.2 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.5 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE SILICON, RECTIFIER DIODE 1.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
厂商名称 SEMTECH SEMTECH SEMTECH SEMTECH SEMTECH SEMTECH
包装说明 HERMETIC SEALED PACKAGE-2 HERMETIC SEALED PACKAGE-2 HERMETIC SEALED PACKAGE-2 O-XALF-W2 HERMETIC SEALED PACKAGE-2 O-XALF-W2
针数 2 2 2 2 2 2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknow unknow unknown
其他特性 LOW LEAKAGE CURRENT LOW LEAKAGE CURRENT LOW LEAKAGE CURRENT LOW LEAKAGE CURRENT LOW LEAKAGE CURRENT LOW LEAKAGE CURRENT
应用 ULTRA FAST RECOVERY ULTRA FAST RECOVERY ULTRA FAST RECOVERY ULTRA FAST RECOVERY ULTRA FAST RECOVERY ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.6 V 1.6 V 1.6 V 1.8 V 1.8 V 1.95 V
JESD-30 代码 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2
最大非重复峰值正向电流 20 A 20 A 20 A 20 A 20 A 15 A
元件数量 1 1 1 1 1 1
相数 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
最大输出电流 2 A 2 A 2 A 1.5 A 1.5 A 1.5 A
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 400 V 200 V 600 V 800 V 900 V 1000 V
最大反向恢复时间 0.03 µs 0.03 µs 0.03 µs 0.05 µs 0.05 µs 0.06 µs
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
Is Samacsys N N N - - N
Base Number Matches 1 1 1 - - 1
ECCN代码 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99

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