NAND512W3A3AZA6F,NAND512W3A3AZA6F pdf中文资料,NAND512W3A3AZA6F引脚图,NAND512W3A3AZA6F电路-Datasheet-电子工程世界

NAND512W3A3AZA6F: 产品描述64MX8 FLASH 3V PROM, 12000ns, PBGA63, 8.50 X 15 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-63; 产品类别存储存储; 文件大小883KB，共56页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

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NAND512W3A3AZA6F概述

64MX8 FLASH 3V PROM, 12000ns, PBGA63, 8.50 X 15 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-63

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA63,10X12,32
针数	63
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	12000 ns
命令用户界面	YES
数据轮询	NO
JESD-30 代码	R-PBGA-B63
长度	15 mm
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
部门数/规模	4K
端子数量	63
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	64MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA63,10X12,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小	512 words
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3/3.3 V
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面最大高度	1.05 mm
部门规模	16K
最大待机电流	0.00005 A
最大压摆率	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	NO
宽度	8.5 mm

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