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IDT7188L25DB: 产品描述Standard SRAM, 16KX4, 25ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22; 产品类别存储存储; 文件大小87KB，共8页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT7188L25DB概述

Standard SRAM, 16KX4, 25ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22

IDT7188L25DB规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	DIP
包装说明	0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22
针数	22
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	25 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-GDIP-T22
JESD-609代码	e0
长度	27.051 mm
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	22
字数	16384 words
字数代码	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	16KX4
输出特性	3-STATE
可输出	NO
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP22,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883 Class B
座面最大高度	5.08 mm
最大待机电流	0.0006 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	7.62 mm

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CMOS Static RAM

64K (16K x 4-Bit)

IDT7188S

IDT7188L

Features

High-speed (equal access and cycle times)

– Military: 25/35/45/55/70/85ns (max.)

Low power consumption

Battery backup operation — 2V data retention

(L version only)

Available in high-density industry standard 22-pin, 300 mil

ceramic DIP

Produced with advanced CMOS technology

Inputs/outputs TTL-compatible

Military product compliant to MIL-STD-883, Class B

innovative circuit design techniques, provides a cost effective approach

for memory intensive applications.

Access times as fast as 25ns are available. The IDT7188 offers a

reduced power standby mode, I

SB1

, which is activated when

goes

HIGH. This capability significantly decreases power while enhancing

system reliability. The low-power version (L) version also offers a battery

backup data retention capability where the circuit typically consumes only

30µW operating from a 2V battery.

All inputs and outputs are TTL-compatible and operate from a single

5V supply. The IDT7188 is packaged in a 22-pin, 300 mil ceramic DIP

providing excellent board-level packing densities.

Military grade product is manufactured in compliance with the latest

revision of MIL-STD-883, Class B, making it ideally suited to military

temperature applications demanding the highest level of performance

and reliability.

Description

The IDT7188 is a 65,536-bit high-speed static RAM organized as

16K x 4. It is fabricated using IDT’s high-performance, high-reliability

technology — CMOS. This state-of-the-art technology, combined with

Functional Block Diagram

GND

65,536-BIT

MEMORY ARRAY

DECODER

I/O

COLUMN I/O

INPUT

DATA

CONTROL

2989 drw 01

FEBRUARY 2001

DSC-2989/09

IDT7188L25DB相似产品对比

	IDT7188L25DB	IDT7188S25DB	IDT7188S85DB	IDT7188L70DB	IDT7188L85DB	IDT7188S35DB	IDT7188L45DB
描述	Standard SRAM, 16KX4, 25ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	Standard SRAM, 16KX4, 25ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	Standard SRAM, 16KX4, 85ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	Standard SRAM, 16KX4, 70ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	Standard SRAM, 16KX4, 85ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	Standard SRAM, 16KX4, 45ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
包装说明	0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	DIP, DIP22,.3	DIP, DIP22,.3	DIP, DIP22,.3	0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22
针数	22	22	22	22	22	22	22
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
最长访问时间	25 ns	25 ns	-	-	85 ns	35 ns	45 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	-	-	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-GDIP-T22	R-GDIP-T22	-	-	R-GDIP-T22	R-GDIP-T22	R-GDIP-T22
JESD-609代码	e0	e0	-	-	e0	e0	e0
长度	27.051 mm	27.051 mm	-	-	27.051 mm	27.051 mm	27.051 mm
内存密度	65536 bit	65536 bit	-	-	65536 bit	65536 bit	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	-	-	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	4	4	-	-	4	4	4
功能数量	1	1	-	-	1	1	1
端口数量	1	1	-	-	1	1	1
端子数量	22	22	-	-	22	22	22
字数	16384 words	16384 words	-	-	16384 words	16384 words	16384 words
字数代码	16000	16000	-	-	16000	16000	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	-	-	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-	-	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	16KX4	16KX4	-	-	16KX4	16KX4	16KX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	-	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	NO	NO	-	-	NO	NO	NO
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	-	-	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP	DIP	-	-	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP22,.3	DIP22,.3	-	-	DIP22,.3	DIP22,.3	DIP22,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	-	-	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	-	-	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	-	-	225	225	225
电源	5 V	5 V	-	-	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883 Class B	MIL-STD-883 Class B	-	-	MIL-STD-883 Class B	MIL-STD-883 Class B	MIL-STD-883 Class B
座面最大高度	5.08 mm	5.08 mm	-	-	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm
最大待机电流	0.0006 A	0.02 A	-	-	0.0006 A	0.02 A	0.0006 A
最小待机电流	2 V	4.5 V	-	-	2 V	4.5 V	2 V
最大压摆率	0.12 mA	0.155 mA	-	-	0.105 mA	0.14 mA	0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	-	-	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	-	-	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	-	-	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	-	-	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	-	-	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	-	-	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	-	-	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	-	-	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	-	-	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	-	-	20	20	20
宽度	7.62 mm	7.62 mm	-	-	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm

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