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NAND512R4A2DZA6E

产品描述Flash, 32MX16, 15000ns, PBGA63, 8.50 X 15 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63
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文件大小1MB,共53页
制造商Numonyx ( Micron )
官网地址https://www.micron.com
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NAND512R4A2DZA6E概述

Flash, 32MX16, 15000ns, PBGA63, 8.50 X 15 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63

NAND512R4A2DZA6E规格参数

参数名称属性值
厂商名称Numonyx ( Micron )
零件包装代码BGA
包装说明8.50 X 15 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63
针数63
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间15000 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B63
JESD-609代码e1
长度11 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
端子数量63
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.05 mm
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
类型SLC NAND TYPE
宽度9 mm

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NAND512xxA2D
NAND01GxxA2C
512-Mbit, 1-Gbit, 528-byte/264-word page,
1.8 V/3 V, SLC NAND flash memories
Features
High density SLC NAND flash memories
512-Mbit, 1-Gbit memory array
Cost effective solutions for mass
storage applications
TSOP48 12 x 20 mm (N)
NAND interface
x8 or x16 bus width
Multiplexed address/ data
Supply voltage: 1.8 V, 3 V
Page size
x8 device: (512 + 16 spare) bytes
x16 device: (256 + 8 spare) words
x8 device: (16 K + 512 spare) bytes
x16 device: (8 K + 256 spare) words
Random access:
12 µs (3 V)/15 µs (1.8 V) (max)
Sequential access:
30 ns (3 V)/50 ns (1.8 V) (min)
Page program time: 200 µs (typ)
FBGA
VFBGA63 9 x 11 x 1.05 mm (ZA)
Block size
Hardware data protection: program/erase
locked during power transitions
Security features
OTP area
Serial number (unique ID)
100,000 program/erase cycles (with
ECC)
10 years data retention
Page read/program
Data integrity
Copy back program mode
Fast block erase: 1.5 ms (typ)
Status register
Electronic signature
Chip Enable ‘don’t care’
RoHS compliant packages
Development tools
Error correction code models
Bad blocks management and wear
leveling algorithms
Hardware simulation models
Table 1.
Device summary
NAND512xxA2D
NAND512R3A2D
NAND512R4A2D
NAND512W3A2D
NAND512W4A2D
NAND01GxxA2C
NAND01GR3A2C
NAND01GR4A2C
NAND01GW3A2C
NAND01GW4A2C
November 2009
Rev 7
1/53
www.numonyx.com
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