Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> NAND512R3A2DZA6F

文档预览

NAND512R3A2DZA6F: 产品描述Flash, 64MX8, 15000ns, PBGA63, 8.50 X 15 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共53页; 制造商Numonyx ( Micron ); 官网地址https://www.micron.com; 标准

下载文档详细参数全文预览

NAND512R3A2DZA6F概述

Flash, 64MX8, 15000ns, PBGA63, 8.50 X 15 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63

NAND512R3A2DZA6F规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Numonyx ( Micron )
零件包装代码	BGA
包装说明	8.50 X 15 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63
针数	63
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	15000 ns
命令用户界面	YES
数据轮询	NO
JESD-30 代码	R-PBGA-B63
长度	11 mm
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
部门数/规模	4K
端子数量	63
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	64MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA63,10X12,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小	512 words
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	1.8 V
编程电压	1.8 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面最大高度	1.05 mm
部门规模	16K
最大待机电流	0.00005 A
最大压摆率	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	NO
类型	SLC NAND TYPE
宽度	9 mm

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

NAND512xxA2D

NAND01GxxA2C

512-Mbit, 1-Gbit, 528-byte/264-word page,

1.8 V/3 V, SLC NAND flash memories

Features

●

High density SLC NAND flash memories

–

512-Mbit, 1-Gbit memory array

Cost effective solutions for mass

storage applications

TSOP48 12 x 20 mm (N)

●

NAND interface

–

x8 or x16 bus width

Multiplexed address/ data

●

Supply voltage: 1.8 V, 3 V

Page size

–

x8 device: (512 + 16 spare) bytes

x16 device: (256 + 8 spare) words

x8 device: (16 K + 512 spare) bytes

x16 device: (8 K + 256 spare) words

Random access:

12 µs (3 V)/15 µs (1.8 V) (max)

Sequential access:

30 ns (3 V)/50 ns (1.8 V) (min)

Page program time: 200 µs (typ)

●

FBGA

VFBGA63 9 x 11 x 1.05 mm (ZA)

●

Block size

–

Hardware data protection: program/erase

locked during power transitions

Security features

–

OTP area

Serial number (unique ID)

100,000 program/erase cycles (with

ECC)

10 years data retention

●

Page read/program

–

●

Data integrity

–

●

Copy back program mode

Fast block erase: 1.5 ms (typ)

Status register

Electronic signature

Chip Enable ‘don’t care’

RoHS compliant packages

Development tools

–

Error correction code models

Bad blocks management and wear

leveling algorithms

Hardware simulation models

Table 1.

Device summary

NAND512xxA2D

NAND512R3A2D

NAND512R4A2D

NAND512W3A2D

NAND512W4A2D

NAND01GxxA2C

NAND01GR3A2C

NAND01GR4A2C

NAND01GW3A2C

NAND01GW4A2C

November 2009

Rev 7

1/53

www.numonyx.com

Contents

NAND512xxA2D, NAND01GxxA2C

Contents

Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Memory array organization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

Signals description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

3.1

3.2

3.3

3.4

3.5

3.6

3.7

3.8

3.9

3.10

3.11

Inputs/outputs (I/O0-I/O7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Inputs/outputs (I/O8-I/O15) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Address Latch Enable (AL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Command Latch Enable (CL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Chip Enable (E) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Read Enable (R) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Write Enable (W) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Write Protect (WP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Ready/Busy (RB) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

supply voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

ground . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Bus operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

4.1

4.2

4.3

4.4

4.5

4.6

Command input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Address input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Data input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Data output . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Write protect . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Standby . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Command set . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Device operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

6.1

6.2

Pointer operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Read memory array . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

6.2.1

6.2.2

6.2.3

Random read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

Page read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

Sequential row read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

2/53

NAND512xxA2D, NAND01GxxA2C

Contents

6.3

6.4

6.5

6.6

6.7

Page program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

Copy back program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

Block erase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

Reset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

Read status register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

6.7.1

6.7.2

6.7.3

6.7.4

Write protection bit (SR7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

P/E/R controller bit (SR6) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Error bit (SR0) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

SR5, SR4, SR3, SR2 and SR1 are reserved . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

6.8

Read electronic signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

Software algorithms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

7.1

7.2

7.3

7.4

7.5

7.6

Bad block management . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

NAND flash memory failure modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

Garbage collection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

Wear-leveling algorithm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

Error correction code . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

Hardware simulation models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

7.6.1

7.6.2

Behavioral simulation models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

IBIS simulations models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Program and erase times and endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

DC and AC parameters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

10.1

10.2

Ready/Busy signal electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

Data protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47

Package mechanical . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

Ordering information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51

Revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

3/53

List of tables

NAND512xxA2D, NAND01GxxA2C

List of tables

Table 1.

Table 2.

Table 3.

Table 4.

Table 5.

Table 6.

Table 7.

Table 8.

Table 9.

Table 10.

Table 11.

Table 12.

Table 13.

Table 14.

Table 15.

Table 16.

Table 17.

Table 18.

Table 19.

Table 20.

Table 21.

Table 22.

Table 23.

Table 24.

Table 25.

Device summary . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

Product description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Signals names . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Valid blocks. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

Bus operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Address insertion, x8 devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Address insertion, x16 devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Address definition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Commands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Copy back program addresses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

Status register bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Electronic signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

NAND flash failure modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Program, erase times and program erase endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Absolute maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Operating and AC measurement conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

Capacitance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

DC characteristics, 1.8 V devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

DC characteristics, 3 V devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

AC characteristics for command, address, data input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

AC characteristics for operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

TSOP48 - 48 lead plastic thin small outline, 12 x 20 mm, package mechanical data. . . . . 48

VFBGA63 9 x 11 x 1.05 mm - 6 x 8 +15, 0.80 mm pitch, package mechanical data . . . . . 50

Ordering information scheme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51

Document revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

4/53

NAND512xxA2D, NAND01GxxA2C

List of figures

Figure 1.

Figure 2.

Figure 3.

Figure 4.

Figure 5.

Figure 6.

Figure 7.

Figure 8.

Figure 9.

Figure 10.

Figure 11.

Figure 12.

Figure 13.

Figure 14.

Figure 15.

Figure 16.

Figure 17.

Figure 18.

Figure 19.

Figure 20.

Figure 21.

Figure 22.

Figure 23.

Figure 24.

Figure 25.

Figure 26.

Figure 27.

Figure 28.

Figure 29.

Figure 30.

Figure 31.

Figure 32.

Figure 33.

Figure 34.

Figure 35.

Figure 36.

Logic diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Logic block diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

TSOP48 connections - x8 devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

VFBGA63 connections - x8 devices (top view through package) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Memory array organization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

Pointer operations. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Pointer operations for programming . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

Read (A,B,C) operations. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

Sequential row read operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

Sequential row read block diagrams. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

Read block diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

Page program operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

Copy back operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

Block erase operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

Bad block management flowchart. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Garbage collection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

Equivalent testing circuit for AC characteristics measurement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

Command Latch AC waveforms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Address Latch AC waveforms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Data Input Latch AC waveforms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Sequential data output after read AC waveforms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Read status register AC waveforms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

Read electronic signature AC waveforms. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

Page read A/ read B operation AC waveforms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

Read C operation, one page AC waveforms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42

Page program AC waveforms. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

Block erase AC waveforms. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

Reset AC waveforms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

Program/erase enable waveforms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

Program/erase disable waveforms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

Ready/Busy AC waveform . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

Ready/Busy load circuit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

Resistor value versus waveform timings for Ready/Busy signal. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47

Data protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47

TSOP48 - 48 lead plastic thin small outline, 12 x 20 mm, package outline . . . . . . . . . . . . 48

VFBGA63 9 x 11 x 1.05 mm - 6 x 8 +15, 0.80 mm pitch, package outline . . . . . . . . . . . . . 49

5/53

推荐资源

GM3043电视机和录像机)红外线遥控发射电路

请求高手详解: 390925 390926 如何工作？ ...; 小白求科普模拟电子

Marvell PXA300 解决方案: 售Marvell PXA300 开发板和提供PXA3XX方案...; duibuqi 嵌入式系统

西勒振荡器输出波形上下不对称？: 西勒振荡器输出波形上下不对称，求大佬解答一下，应该调哪些参数？元器件参数是利用参数扫描分析确定的，不知道合不合适，另外请大佬看一下我电路设计有什么不对的地方，还请指点一二，虚心学习 ......; 周冠歧模拟电子

【藏书阁】显示技术基础: 39510 目录第1章概述. 1.1显示概念 1.2显示技术的变革与广泛用途 1.3显示系统的基本性能 1.4显示设备的基本功能与显示方法 1.5作为人机界面的显示器的分类 ......; wzt DSP 与 ARM 处理器

2407,请高手赐教: 请问我的2407rebuild all之后能显示出： warning: entry point symbol _c_int0 undefined Build Complete, 0 Errors, 1 Warnings, 0 Remarks. 请问\" _c_int0 “是什么文件呀？ ......; mdjwmy 微控制器 MCU

【IMMC-DIY激光雕刻机】-0.7测试版全套BOM清单发布-不可用于生产~: 本帖最后由 kejoy 于 2015-5-22 08:41 编辑 198663 EEworld IMMC 开源激光雕刻机讨论专版https://bbs.eeworld.com.cn/forum-227-1.html 【IMMC-DIY激光雕刻机】 0.7测试版 BOM表序号代 ......; kejoy DIY/开源硬件专区

STM32中断编程三步曲教你弄会中断设置以及中断优先级设置

中断作为stm32中必不可少的一个功能，其重要性是不言而喻的因此把中断学习好是根本。　　所以今天就来好好啃一下中断配置的知识，俗话说：磨刀不误砍柴工。问题是什么呢?项目中我用到了一个触摸键盘TTP229，结果在测试键盘时，不能够输入密码?最终，调试出bug就是由于中断优先级的影响。　　本项目使用到的是STM32F030C8型号的MCU，我们可以从官方下载到的标准库文件中的启动汇编文件中...[详细]
目前电动汽车还存在哪些方面的安全隐患

随着购买新能源车型的消费者越来越多，电动车的安全性也成为了大家的焦点。尤其是在一系列电动车自燃事件之后，安全性这个话题也被推到了风口浪尖。那么电动车在电池方面存在着哪些隐患呢？一、冷却系统，新能源车型尤其是纯电动车型，是依靠电能作为补给。但电能并没有流入的冷却系统，所以在高温的条件下，电动车极容易发生自燃的事故。即便是现在很多新能源车型采用了水冷，但安全隐患依然存在。二、挤压碰撞，电...[详细]
新能源汽车的不稳定因素目前都有哪些

随着汽车的逐渐增多，环境压力也逐渐变得越来越大。也是这个时候，有人说新能源汽车节能环保，和传统用油的汽车有很大不同，这着实吸引了一大批受众。那么新能源到底能不能买呢？这个问题其实是非常困扰消费者的。如果你在北上广一线城市的话，新能源汽车是没有什么大问题的。毕竟现在的大环境下，大城市还是非常主要节能的，而新能源车牌也确实是一个非常有诱惑力的标签。但如果你所在的城市限行，上牌不需要摇号等，还是...[详细]
电动汽车的加速度能比得过燃油车吗

新能源纯电汽车，无论是从0起步还是行进间加速，它的加快一般都比同级别的燃油车要快。究其原因很多人认为只是因为马达扭矩相比燃油发动机更大，马达瞬间爆发扭矩和燃油车叠加扭矩输出，百公里提速时间多数在5-7秒。但为何会出现这种状况呢？新能源电动汽车，英语：（newenergyelectricvehicles）新能源电动汽车的构成包括：电能动力驱动及控制系统、驱动力传动等机械系统、做成既定任务的工作装置...[详细]
苹果首款折叠 iPhone 曝料：配自研 C2 基带芯片

8 月 25 日消息，彭博社的马克・古尔曼昨日（8 月 24 日）发布博文，曝料称苹果将于 2026 年推出其首款折叠手机（下文简称 iPhone Fold），一方面会明显减少屏幕折痕，另一方面将搭载其自研的 C2 基带芯片，并采用无 SIM 卡设计、Touch ID 解锁，测试机有黑、白两色。苹果为尽量减少折痕的视觉影响，决定将屏幕触控感应层由 on-cell 技术改为 in-cell 技术...[详细]
凯乐士推出新一代极窄巷道叉式移动机器人「VFR极窄系列」

8月18日，综合智能场内物流机器人专家凯乐士科技（Galaxis）以一场科技盛宴正式揭开新一代极窄巷道叉式移动机器人系列「VFR极窄系列」的神秘面纱。这场以“窄道破局稳驭未来”为主题的发布会，不仅重新定义了自动化仓储的效率边界，更以突破性技术创新为行业树立了新的里程碑。 VFR系列产品包含CL、CS、CC等多个系列，具备极窄巷道适应能力，能够进行高效存取与精准定位，并且兼具全场景兼...[详细]
新能源车保值率如何破“腰斩”困局？

今年以来，价格战有增不减，新车此起彼伏，零公里二手车成为舆论焦点，行业内卷被官方提上休整日程……这些因素共同影响了新能源汽车今年上半年保值表现。根据中国汽车流通协会数据，2025年1至7月，三年车龄的新能源汽车保值率呈现缓慢下滑趋势。整体来看，插电式混合动力车型三年保值率略高于纯电动车型，今年7月，插电式混合动力车型三年保值率为44.1%，纯电动车型则为44.8%。相比之下，传统...[详细]
stm32内部Flash的读写操作

stm32的产品都有内置Flash，而且不同系列的产品其内置Flash的大小不尽相同，结构上也有差异，本文将对stm32f07x，stm32f10x，stm32f40x的内置Flash结构，以及如何进行读写操作做一个介绍。一、特性与构成 1.stm32f07x系列 2、stm32f10x系列　　　　　　　　　　3、stm32f40x系列　...[详细]
基于视觉的智能电子宠物

　　1 创意来源　　随着电子技术的进一步发展，电子宠物逐渐走入人们的家庭生活中，目前市面上相对成熟的电子宠物主要有两大类：一类是生活在电子设备中的虚拟宠物，没有任何的机械结构，纯粹通过电子设备与之进行交互;另一类是具有一定机械机构的电子宠物，具有触觉等功能，但由于其与逼真宠物外形想像的特性，交互方式也相对缺乏。　　如今感知计算技术大为盛行，它重新定义了人与设备的沟通方式，通过更适合人类的沟通...[详细]
一夜只耗一度电是真的吗？

　　随着科学的发展，变频技术的使用也越来越广泛，不管是工业设备上还是家用电器上都会使用到变频技术。其中变频空调近几年更是被炒的很火爆，变频空调具有噪音低省电等优点，更有商家打出变频空调“一夜只耗一度电”的广告语，这是真的吗? 　　变频空调的核心是变频控制器和变频电机，变频空调的能效如何，很大程度上由它们决定，因此要提高变频空调的能效呢，核心是提高空调变频控制器和变频电机的效率，那么问题来了如...[详细]
无人驾驶的基本框架你了解吗

将无人车理解为机器人并且使用机器人开发的思维处理无人车系统是目前工业界的共识，但也不乏一些单纯使用人工智能或者是智能体来完成无人驾驶的案例。其中基于深度学习的端到端无人驾驶和基于强化学习的驾驶智能体是目前的研究热点。无人驾驶系统的核心可以概述为三个部分：感知（Perception），规划（Planning）和控制（Control），这些部分的交互以及其与车辆硬件、其他车辆的交互可以用下图表...[详细]
电动汽车是利用发动机来实现12V车载供电吗

电动汽车的12V蓄电池供电并不是依靠发电机，只有燃油动力汽车才会依靠发动机带动发电机在行驶中发电，其作用是为12V车载设备供电；用这种发电即时供电的原因是因为12V蓄电池的容量太小，而且不能依靠外接设备充电。而电动汽车有一组动辄50kwh左右的动力电池组，其容量是燃油动力汽车电池的50~100倍甚至更高，车载12V电子设备的耗电量与容量相比小到几乎可以忽略；而动力电池组可依靠220市电充电，所以...[详细]
半桥逆变器是啥意思，立即切换模式

半桥是将DC转换为交流的逆变器拓扑之一。典型半桥电路由两个控制器组成开关，3线DC电源，两条反馈二极管以及连接负载和源极的两个电容器。控制开关可以是任意的电子开关即MOSFET，双极晶体管、IJBT或半导体闸流管等。半桥逆变器是什么意思? 电路设计成两个开关不能同时接通&两个开关中只有一个会导通。每个开关将工作半个周期(T/2)，向负载提供施加电压的一半(V哥伦比亚特区/2).当两个开关都...[详细]
关于ESD管的叫法，你知道几个?

中国汉字博大精深，关于ESD管的叫法可谓是千奇百样，你知道的有几个呢？据优恩小编所知，目前ESD管的叫法主要有ESD静电保护器、ESD静电保护二极管、ESD防护静电二极管、ESD二极管以及ESD管。叫法虽多，但其作用还是防护电路而生。其实不管是它的叫法，还是原理，都是应当知道的，在了解ESD管的前提基础上，我们其实还要对前身作个大概的知悉，例如电子产品为什么需要防雷过压保护，ESD静电...[详细]
电动汽车的轻量化可从哪些途径来实现

汽车轻量化对于汽车来说还是一个比较陌生的一个词汇，随着对环保要求的不断提高，相关法规对于车辆更低油耗也提出了更高的标准，轻量化成为了汽车降低油耗和电动汽车增加续航里程的一种途径，根据目前市面上大多数轻量化设计的车型来看，在不涉及到安全的问题的情况下面，轻量化可以从车身的材料上面，和车辆的结构设计上面去进行实现，车辆的轻量化也是必然的趋势。对于车身材料而言，就更加的要进行着重的考虑了，首先不...[详细]

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多