NAND01GR3A2BZB1F,NAND01GR3A2BZB1F pdf中文资料,NAND01GR3A2BZB1F引脚图,NAND01GR3A2BZB1F电路-Datasheet-电子工程世界

NAND01GR3A2BZB1F: 产品描述Flash, 128MX8, 35ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-63; 产品类别存储存储; 文件大小917KB，共57页; 制造商Numonyx ( Micron ); 官网地址https://www.micron.com; 标准

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NAND01GR3A2BZB1F概述

Flash, 128MX8, 35ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-63

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Numonyx ( Micron )
零件包装代码	BGA
包装说明	9 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-63
针数	63
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	35 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B63
长度	11 mm
内存密度	1073741824 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	63
字数	134217728 words
字数代码	128000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
编程电压	1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
类型	SLC NAND TYPE
宽度	9 mm

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