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2SA1359-Y: 产品描述TRANSISTOR 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, 2-8H1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小149KB，共4页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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2SA1359-Y概述

TRANSISTOR 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, 2-8H1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power

	2SA1359-Y	2SA1359-O
描述	TRANSISTOR 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, 2-8H1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power	TRANSISTOR 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, 2-8H1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power
是否Rohs认证	不符合	不符合
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3	3
Reach Compliance Code	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	3 A	3 A
集电极-发射极最大电压	40 V	40 V
配置	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	120	80
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP	PNP
功耗环境最大值	10 W	10 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz	100 MHz
VCEsat-Max	0.8 V	0.8 V
Base Number Matches	1	1

用430BOOST-SHARP96的GERBER文件打了几块板子,已附实物图: [i=s] 本帖最后由 wgsxsm 于 2014-8-25 14:26 编辑 [/i]刚好公司用到了夏普记忆屏,像素是128*128的,也是1.3寸.最近看到了最近非常火的金刚狼开发板,从而得到信息TI也有用过夏普的低功耗屏.于是就直接发出了TI提供的GERBER文件进行制作,看看回来是什么效果.也申请了[url=https://www.eeworld.com.cn/huodong/201408_...; wgsxsm 微控制器 MCU

TI 无线产品射频硬件常见问题FAQ-新增13条webinar的Q/A总结: [i=s] 本帖最后由 qwqwqw2088 于 2019-5-30 15:23 编辑 [/i][align=left][color=rgb(85, 85, 85)][font=][size=4][b]1. 如何找对芯片参考设计和应用指南?[/b][/size][/font][/color][/align][align=left][color=rgb(85, 85, 85)][font=][siz...; qwqwqw2088 无线连接

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