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K7R641884M-FC200

产品描述QDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
产品类别存储    存储   
文件大小445KB,共19页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K7R641884M-FC200概述

QDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165

K7R641884M-FC200规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码BGA
包装说明LBGA, BGA165,11X15,40
针数165
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间0.45 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)200 MHz
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PBGA-B165
长度17 mm
内存密度75497472 bit
内存集成电路类型QDR SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量165
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装等效代码BGA165,11X15,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
电源1.5/1.8,1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.4 mm
最小待机电流1.7 V
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
宽度15 mm
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