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HYB39S128800CE-8

产品描述Synchronous DRAM, 16MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 10.16 X 22.22 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54
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文件大小486KB,共51页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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HYB39S128800CE-8概述

Synchronous DRAM, 16MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 10.16 X 22.22 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54

HYB39S128800CE-8规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2,
针数54
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间6 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-G54
长度22.22 mm
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm
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