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HLB123TB8

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小46KB,共4页
制造商HSMC
官网地址http://www.hsmc.com.tw/
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HLB123TB8概述

Transistor

HLB123TB8规格参数

参数名称属性值
厂商名称HSMC
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)1 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)43
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)30 W
表面贴装NO

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HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HT200402
Issued Date : 1993.05.15
Revised Date : 2004.09.30
Page No. : 1/4
HLB123T
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The HLB123T is designed for high voltage. High speed switching inductive circuits
and amplifier applications.
Features
High Speed Switching
Low Saturation Voltage
High Reliability
TO-126
Absolute Maximum Ratings
(T
A
=25°C)
Maximum Temperatures
Storage Temperature ........................................................................................................................... -50 ~ +150
°C
Junction Temperature ................................................................................................................... +150
°C
Maximum
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (T
A
=25°C) ................................................................................................................... 3.5 W
Total Power Dissipation (T
C
=25°C) .................................................................................................................... 30 W
Maximum Voltages and Currents
BV
CBO
Collector to Base Voltage....................................................................................................................... 600 V
BV
CEO
Collector to Emitter Voltage.................................................................................................................... 400 V
BV
EBO
Emitter to Base Voltage.............................................................................................................................. 8 V
I
C
Collector Current (DC) ....................................................................................................................................... 1 A
I
C
Collector Current (Pulse).................................................................................................................................... 2 A
Electrical Characteristics
(T
A
=25°C)
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE(sat)1
*V
CE(sat)2
*V
BE(sat)1
*V
BE(sat)2
*h
FE1
*h
FE2
*h
FE3
Min.
600
400
8
-
-
-
-
-
-
10
10
6
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Max.
-
-
-
10
10
0.8
0.9
1.2
1.8
50
-
-
Unit
V
V
V
uA
uA
V
V
V
V
I
C
=1mA, I
E
=0
I
C
=10mA, I
B
=0
I
E
=1mA, I
C
=0
V
CB
=600V, I
E
=0
V
BE
=9V, I
C
=0
I
C
=0.1A, I
B
=10mA
I
C
=0.3A, I
B
=30mA
I
C
=0.1A, I
B
=10mA
I
C
=0.3A, I
B
=30mA
I
C
=0.3A, V
CE
=5V
I
C
=0.5A, V
CE
=5V
I
C
=1A, V
CE
=5V
*Pulse Test: Pulse Width
≤380us,
Duty Cycle≤2%
Test Conditions
Classification Of hFE1
Rank
Range
B1
10-17
B2
13-22
B3
18-27
B4
23-32
B5
28-37
B6
33-42
B7
38-47
B8
43-50
HLB123T
HSMC Product Specification

HLB123TB8相似产品对比

HLB123TB8 HLB123TB4 HLB123TB1 HLB123TB5
描述 Transistor Transistor Transistor Transistor
厂商名称 HSMC HSMC HSMC HSMC
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A 1 A
配置 Single Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 43 23 10 28
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 30 W 30 W 30 W 30 W
表面贴装 NO NO NO NO
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