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2SA1052B

产品描述100mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小46KB,共8页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2SA1052B概述

100mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3

2SA1052B规格参数

参数名称属性值
包装说明MPAK-3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

2SA1052B相似产品对比

2SA1052B 2SA1052D 2SA1052C
描述 100mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3 100mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3
包装说明 MPAK-3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 MPAK-3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 30 V 30 V 30 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100 250 160
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1
最高工作温度 - 125 °C 125 °C
最大功率耗散 (Abs) - 0.15 W 0.15 W
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