100mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3
参数名称 | 属性值 |
包装说明 | MPAK-3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压 | 30 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 100 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | PNP |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
2SA1052B | 2SA1052D | 2SA1052C | |
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描述 | 100mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3 | 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3 | 100mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3 |
包装说明 | MPAK-3 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | MPAK-3 |
针数 | 3 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | compli | compli | compli |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A | 0.1 A | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压 | 30 V | 30 V | 30 V |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 100 | 250 | 160 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | PNP | PNP | PNP |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES | YES |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
最高工作温度 | - | 125 °C | 125 °C |
最大功率耗散 (Abs) | - | 0.15 W | 0.15 W |
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